西部數據

希捷科技

智通財經APP獲悉，全球最大規模存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士兩大權重股所主導的韓國股市基準股指——Kospi韓國綜合指數在經歷週一暴跌超5%之後，今日大舉反彈近7%，以及經歷上週五大幅下跌的美國存儲產品領軍者西部數據(WDC.US)與希捷(STX.US)股價攜手大舉反彈——尤其是西部數據週一漲幅一度超10%完全覆蓋上週五暴跌區間，可謂全面凸顯出存儲巨頭們股價跟隨貴金屬單日暴跌乃市場“錯殺行爲”。從週二亞太市場存儲芯片/存儲產品板塊全線大反彈趨勢來看，全球資金對於存儲領域的看漲情緒仍然堪稱狂熱。

在HDD霸主西部數據公司公佈強勁業績與未來展望之後，國際大行瑞銀(UBS)近日發佈的研報顯示，經營執行與行業景氣度都在“超預期兌現”，HDD(尤其是數據中心大容量近線 Nearline HDD)仍處於供應偏緊、且需求強勁的上行週期，但估值與市場情緒已把“好消息”定價得非常徹底，且HDD兩大寡頭——希捷與西部數據的長期價格/估值均無法避免週期性均值迴歸屬性。對於想博取基於存儲領域的超額投資收益的投資者們，瑞銀暗示應更關注那些純粹的存儲芯片巨頭，比如三大存儲芯片原廠——三星、SK海力士以及美光科技。

因此瑞銀雖然上調西部數據的盈利預期與目標價，仍維持“中性”這一評級，並明確該機構“仍更偏好數據中心企業級SSD(即eSSD)以及HBM、高性能服務器DDR系列企業級存儲產品”，而非把存儲倉位重壓在HDD週期股上。具體而言，瑞銀維持對於西部數據的12個月評級“中性”(Neutral)股票評級，同期限目標價則定爲285美元(從此前予以的230美元上調)。西部數據股價週一大漲7.99%至270.23美元，盤中漲幅一度超過10%。

幾乎同一時間，華爾街金融巨頭高盛發佈的研報顯示，上週五美股存儲板塊疲軟以及週一亞洲股票市場存儲板塊大幅下跌是對存儲領域強勁基本面的誤讀。高盛強調，儘管現貨市場出現波動，但DRAM的合約價格不僅未跌，反而迎來了更猛烈的上漲預期，因此高盛大幅上調了2026年一季度包括DDR4和DDR5在內的DRAM整體價格漲幅預測，預計環比漲幅將高達90-95%，遠超此前市場及該機構此前的預期。

瑞銀的存儲板塊交易框架：短期看漲HDD景氣週期，中長期聚焦存儲芯片原廠

瑞銀分析師團隊表示，短期可聚焦於兩大堪稱壟斷的HDD霸主——即希捷與西部數據公司，可把它們共同當作“存儲景氣度週期類型短期交易主題”，中長期把超額收益押在Memory(HBM、高端DDR、以及數據中心企業級SSD背後的NAND/控制器生態)的供需缺口與定價權上——這與當前AI數據中心擴張正在把HBM與傳統DRAM/NAND推向更強烈的供需失衡相一致，也就是說三大存儲芯片原廠主導的定價與供給紀律只會導致供需愈發失衡，且2028年纔有可能出現有意義的供給緩解。

例如，存儲芯片霸主SK海力士(SK hynix)披露AI驅動的HBM需求強勁並在HBM份額上領先，三星電子管理層也公開強調HBM4業務進展順利且即將拿下包括英偉達在內的更多大客戶;同時TrendForce與Reuters等披露的行業數據指向2026年初DRAM/企業級SSD價格繼續顯著上行趨勢，反映memory鏈條的“緊缺溢價”更具持續性。

瑞銀表示，數據中心“超大容量(Exabytes)”需求持續上升，驅動HDD行業進入“少寡頭+供給紀律+技術迭代”背景下的更強盈利增長週期，但是長期價格/估值均無法避免週期性均值迴歸屬性，且“景氣度週期+估值”的超級基本面組合已經來到歷史最高位區域。因此瑞銀在研報中把西部數據公司的目標倍數從23x降到15x，核心理由是採用更長期平均的S&P隱含倍數假設理論，而不是過去3年更“亢奮”的HDD存儲估值水平。

瑞銀把西部數據定位爲“行業爭論型(industry debate)”存儲標的：即行業基本面仍然強勁，但該公司估值與利潤率同時處於歷史高位，再疊加其獨家的HAMR技術推進存在不確定性(尤其相對其HDD唯一競爭對手希捷的近線超大容量HAMR節奏/執行優勢)，使得風險回報並不便宜。瑞銀在研究報告中還拿美國本土唯一存儲芯片製造原廠美光，以及SK海力士和三星電子等“memory巨頭股票”做相對比較：即便按“西部數據毛利能上到60%、EB中期複合增速20%+”的較樂觀假設，其估值性價比仍未必比memory更佔優，因此“仍偏好memory”。

整體而言，瑞銀認可超大容量Nearline HDD在AI/雲計算基礎設施超級建設週期驅動下維持強景氣與供給紀律，但在估值與利潤率都接近週期高位時，且HAMR路線圖仍有不確定性的條件下，瑞銀分析師團隊更傾向把超額收益押注在兩大HDD寡頭主導的超大容量HDD之外的更廣泛memory賽道。

DRAM/NAND存儲芯片需求持續強勁且這些存儲產品系列(比如DDR4/DDR5/數據中心企業級SSD系列)價格呈現野蠻擴張之勢，主要因AI算力洪流將存儲芯片需求以及存儲芯片對於AI訓練/推理系統的重要性推向前所未有的高度，當前全球AI算力需求可謂持續呈現出指數級增長趨勢，算力供給遠遠跟不上需求強度，這一點從“全球芯片之王”臺積電、“光刻機之王”阿斯麥近期公佈的無比強勁業績數據中就能明顯看出。

在華爾街，摩根士丹利、野村以及美國銀行高呼AI大浪潮所驅動的“存儲芯片超級週期”全面到來，且這一輪週期的強度與持續時間長度可能遠遠強於2018年的那輪“雲計算時代驅動的存儲超級牛市”。

無論是谷歌主導的無比龐大TPU AI算力集羣，抑或海量英偉達AI GPU算力集羣，均離不開需要全面集成搭載AI芯片的HBM存儲系統，且除了HBM，當前谷歌與OpenAI科技巨頭們加速新建或擴建AI數據中心還必須大規模購置服務器級別DDR5存儲以及企業級高性能SSD/HDD等存儲解決方案;不同於希捷與西部數據集中於壟斷近線大容量HDD，三星電子、SK海力士以及美光這三大存儲芯片原廠正好同時卡在多個核心存儲領域：HBM、服務器DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端數據中心企業級SSD(eSSD)，是“AI內存+存儲棧”裏最直接的受益者勢力，可謂吃到AI基建“超級紅利”。

華爾街對於存儲芯片領域的看漲情緒越來越癲狂

存儲芯片製造商們正將產線重新分配至盈利能力強勁得多的HBM，以滿足AI數據中心的近乎“無止境”式強勁需求。由於HBM在同等存儲容量下需要約爲標準DRAM三倍的晶圓產能，這一轉向大幅減少了面向消費電子行業的供應規模。這正威脅到PC製造商和規模更小的電子公司面臨兩位數的漲價。

SK海力士、三星以及美光這三大堪稱壟斷的存儲芯片原廠紛紛將多數產能集中於HBM存儲系統——這類存儲產品需要的先進製程產能以及製造、封測複雜度相比於DDR系列以及HDD/SSD系列存儲芯片而言複雜得多，因此三大存儲芯片領軍者不斷將產能遷移至HBM，在很大程度上導致這些硬盤類存儲產品供不應求。

野村最新的判斷顯示，該機構重申這一輪“存儲芯片超級週期”至少持續到2027年結束，且野村在研報中明確寫到“有意義的供給增加最早在2028年”。報告中反覆強調HBM存儲系統以及eSSD等存儲組件的產能擴產並非“說擴就擴”，涉及綠地/褐地/定製化半導體設備升級計劃節奏。以SK海力士爲例，野村直接把產能約束精確到潔淨室長週期/晶圓產能、先進製程升級帶來的良率與週期時間大幅延後變化、以及海外芯片工廠建設/升級受限等層面，從而推導出供給上行更慢且缺口持續時間更久。

在華爾街金融巨頭摩根大通等機構看來，這一輪史無前例“存儲超級週期”的最大贏家，除了三大存儲芯片原廠主導的HBM，可能還有原廠們以及鎧俠、閃迪所主導的eSSD領域。摩根大通表示，AI推理浪潮正在讓NAND閃存擺脫“強週期商品”的宿命，演變成一種高增長的AI基礎設施資產。在摩根大通等機構看來，隨着AI工作負載從訓練向推理轉移，以及HDD在近線存儲領域的供應瓶頸，聚焦於企業級存儲熱層的NVMe eSSD正迎來前所未有的結構性增長。

摩根大通預計，2026年NAND行業的混合平均銷售價格將同比大幅上漲40%， 更爲關鍵的是，這種上漲不是曇花一現，該機構預計2027年將長期維繫在歷史最高位附近。市場普遍存在一個存儲主題投資誤區，即AI算力狂潮長期利好於DRAM(特別是HBM)，NAND只是配角，但是摩根大通在一份研報中用大量篇幅糾正了這一觀點：在AI推理時代，eSSD的重要性不亞於HBM。

花旗集團的分析師們在其最新的展望中，展現了比瑞銀、野村和摩根大通更爲激進的看漲姿態。分析師認爲，受AI Agent(即AI智能體代理式工作流)普及和AI CPU內存需求激增的驅動，存儲芯片價格將在2026年出現失控式上漲。花旗的分析師們將2026年DRAM的平均售價(ASP)漲幅預期從原本的53%暴力上調至88%，NAND的漲幅預期從44%上調至74%。

花旗的分析師們預計，受AI訓練和推理需求的雙重推動，2026年服務器DRAM的ASP將同比暴漲144%(此前預測爲+91%);以主流產品64GB DDR5 RDIMM爲例，花旗預測其價格將在2026年第一季度達到620美元，環比增長38%，遠高於此前預測的518美元。在NAND領域，花旗的預測同樣激進，將2026年的ASP增長預期從+44%上調至+74%;其中，企業級SSD的ASP預計將同比增長87%。在花旗的分析師們看來，存儲芯片市場將進入一個極其劇烈的賣方市場，定價權將完全掌握在三星、SK海力士以及美光、閃迪等存儲巨頭手中。